отчет исследования биполярного транзистора


Министерство образования и науки Российской Федерации 

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого

Институт электронных информационных систем

Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники

ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ СТРУКТУР НА ПРИМЕРЕ

ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТРАНЗИСТОРА.

АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ЛАБОРАТОРНЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ

РАБОТЫ С ПК.

Лабораторная работа по учебной дисциплине «ФО микро- и наноэлетроники »

по направлению 211000.62 –Конструирование и технология электронных средств

Отчет

Проверил преподаватель

__________ Г.В Гудков

“___” __________ 2014 г.

Выполнили студенты группы 2021

___________Решетников С.С.

___________зверев К.А.

“___” __________ 2014 г.

Цель работы: ознакомление с характеристиками биполярных транзисторов, с

методиками их определения, получение навыков практического

исследования вольт-амперных характеристик транзистора и определения его

параметров, исследование вольт-амперных характеристик при различных

температурах.

Приборы и оборудование

Лабораторная работа выполняется на комбинированном лабораторном

приборе ФОЭЛ-БС, имеющим сопряжение с ПК. Все параметры

эксперимента, установленные и измеренные значения параметров выводятся

в соответствующие окна программы-оболочки для работы с установкой –

LabVisual 2.

Схема установки

Таблицы с результатами измерений.

Опыт 3 Uк=0В

U в

IмкА

1.9

0

0.1

3.9

0.15

11.7

0.20

17.8

0.25

25.7

0.3

40.8

0.4

75.2

0.5

155.8

0.6

399.4

Опыт 3 Uк=5В

U в

IмкА

0

3.9

0.05

5.8

0.1

9.6

0.15

14.6

0.2

21.2

0.25

25.1

0.3

33.1

0.4

7.2

0.5

126.9

0.6

213.6

0.7

416.4

Опыт 3 Uк=10В

U в

IмкА

0

9.6

0.05

9.8

0.1

13.4

0.15

19.1

0.2

21.2

0.25

27.2

0.3

34.6

0.4

62

0.5

105.9

0.6

176

0.7

262.5

Опыт 4 Iб=0мкА

U в

IмкА

0

0

0. 5

15.6

0.9

53

1.3

67.4

1.6

74

2

77.2

3.2

81

4

81.6



6

83.1

8

176

12

86.8



16

89.7

Опыт 4 Iб=100мкА

U в

IмкА

0.5

1.77

0. 9

1.99

1.3

2.21

1.6

2.35

2

2.45

4

2.58

6

2.63

8

2.67

12

2.75

16

2.85

Опыт 4 Iб=250мкА

U в

IмкА

0

0.02

0. 5

0.89

0.9

1.81

1.3

2.66

1.6

3.49

2

3.91

4

4.34

6

4.39

8

4.47

12

4.8

16

4.74

Графики результатов:

Расчет:

h=

Uк=0В

h=•10-3

Uк=5В

h=•10-3

Uк=10В

h=•10-3




Предыдущий:

Следующий: